SJ 50033.77-1995 半导体分立器件.3DA331硅微波功率晶体管详细规范
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ID： |
BE6A30684E9A47D4B6D2A95E14342D45 |
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文件大小(MB)： |
0.38 |
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9 |
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日期： |
2024-7-28 |
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SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/77-1995,半导体分立器件,3DA331硅微波功率晶体管,详细规范,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type 3DA331 Silicon,microwave power transistor,1995-05-25 发布1995-12-01 实施,中华人民共和国电孑エ业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,3DA33I硅微波功率晶体管详细规范,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type 3DA331 Silicon,microwave power transistor,SJ 50033/77-1995,1范围,1.I 主题内容,本规范规定了 3DA331型硅微波功率晶体管（以下简称器件）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33（半导体分立器件总规范》L3条的规定,提供质量保证等级为普军、特军和超特,军三级,分别用字母GP、GT、GCT表示0,2引用文件,GB 4587—84双极型晶体管测试方法,GB 7581—87半导体分立器件外形尺寸,GJB 33-85 半导体分立器件总规范,GJB 128-86半导体分立器件试脸方法,3要求,3.I 详细要求,各项要求应符合GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应符合GJB 33和本规范的规定,3.2.1 引出端材料和表面涂层,发射极和集电极引出端材料为可伐合金,基极引出端为无氧铜,引线表面镀金,中华人民共和国电子工业部1995-0525发布 !995-12 01实施,—1,SJ 50033777-1995,3.2.2 器件结构,采用硅平面外延双极型结构,3.2.3 外形尺寸,外形尺寸应符合GB 758I中B2-08C及本规范规定,见图L,mm,代号,尺 寸,最小标称最大,A 一— ，〇,如L5 一3,1,网0.5 L0,C 0.1 — 0.25,F 1.4 — 2.0,初5,8 一6.6,如］ — — 4.2,L 4.0,的3」一3.4,Q ァ。— 3,6 7 — 15,0 —,U1 15.5 一20.6 5 5.8 — 6.6,引出端极性:Eー发射极Bー极基Cー集电极,图1外形图,3.3 最大额定值和主要电特性,3.3.1 最大额定值,型 号,PtoJ,Tc = 25セ,(W),V'cBO,(V),Vebd,CV),几,(A),T;,(C),し,(t),3DA331 15 45 3,5 1.6 200 -65-200,注;1）当Tc>25t时,按84.7mWハ:线性降额,3.3.2 主要电特性（Ta = 25e）,____ ウ ___ r,ww. bzfxw. com下载,SJ 50033/77-1995,:,号,A,\值,「FEI VcEwt,(V),Gp,(dB),p,(W),Vc,(%),& tMi ー,(じ/w),C小,(pF),Vce = 5V,ム二600mA,fB-60mA,レ=600mA,Vcc-24V,/o=I.7GHz(A),Pi=L2W,/o=2.0GHz(B),Pi=1.4W,Vce = 10V,1￠ = 1.1A,Vcb = 20V,/c=1MHz,最小小最大值最大值最小值量大值最大值,3D」;331A,20 100 1.0,8,7 40 ILS 11.0,3DA331B 7,3.4 电测试要求,电测试应符合GB 458?及本规范的规定,3.5 标志,标志应符合GJB 33及本规范的规定,型号标志可不限于一行内,制造厂可省略器件上的,下列标志:,a.产品保证等级;,b.制造厂厂名、代号或商标;,c.检验批识别代码;,4质量保证规定,4.!抽样和检验,抽样和检验应符合GJB 33和本规范的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检验应符合GJB 33和本规范的规定,4.3筛选（仅对GT和GCT级）,筛选应按GJB 33-85的表2和本规范的规定进行,下面测试应按本规范表!进行,超过本规范表1极限值的器件应剔除,筛 选,(见 GJB 33—85 的表 2),测试或试验,3温度循环-65.150七;2。次,7中间电参数fcBOl 和 hFE1,8功率老化见431,9最后测试按本规范表1的A2分组,△/era为初始值的1。。%,或。,3mA,取较大者,A五的为初始值的士20%,<3.1功率老化条件,功率老化条件如下:,Ptot = llW, Vce=IOV, Tc>70to,3,SJ 50033/77-1995,4.4 质量一致性检験,质量一致性检验应按GJB 33的规定进行,4.4.1 A组检验,A组检舱应按GJB 33及本规范表!的规定进行,4.4.2 B组检验,B组检验应按GJB 33及本规范表2的规定进行,4.4.3 C组检験,C组检验应按GJB 33及本规范表3的规定进行,4.5 检验和试验方法,检险和试验方法应按本规范相应的表中规定的方法和下列规定进行;,4.5.1 脉冲测试,脉冲测试应符合GJB 128中3.3.2.1条的规定,表1 A组检验,检验或试验,GB 4587,LTPD 符号,极限值,単位,方法条 件最小最大,A1分组,外观及机械检验GJB 128,2071,5,A2分组,集电极一基极,击穿电压,发射……
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